Entwicklungsingenieur (w/m/d) RF Power Amplifier Design

TRUMPF, ein familiengeführtes High‑Tech‑Unternehmen mit rund 19 000 Beschäftigten an über 70 Standorten, ist weltweit als Hersteller von Gleichstrom‑, Mittel‑, Hochfrequenz‑ und Festkörper‑Mikrowellengeneratoren bekannt. In der Niederlassung Hüttinger werden innovative Lösungen für Anwendungen von Smartphones bis zu Solaranlagen entwickelt. Als Entwicklungsingenieur (w/m/d) für RF‑Power‑Amplifier Design konzipieren Sie Hochleistungs‑RF‑Verstärker für HF‑ und VHF‑Generatoren im Bereich von 1 kW bis 100 kW. Sie entwerfen Architekturen auf Basis von LDMOS‑ und GaN‑Halbleitern, legen Ausgangs‑Matching‑Netzwerke an und optimieren Effizienz sowie Robustheit. Mit Simulationswerkzeugen wie Keysight ADS und Ansys HFSS führen Sie Load‑Pull‑, Harmonic‑Balance‑ und EM‑Analysen durch. Der Prototypenbau, Inbetriebnahme und Charakterisierung mittels Netzwerk‑ und Spektrumanalysatoren gehören ebenso zum Alltag wie die Entwicklung automatisierter Test‑ und Messumgebungen in Python. Die enge Zusammenarbeit mit PCB‑Design, Mechanik, Software und Fertigung sowie die Abstimmung mit internationalen Kunden treiben die Industrialisierung neuer Produkte voran. Die Anstellung ist auf zwei Jahre befristet. Für die Position wird ein abgeschlossenes Studium in Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Physik oder einem vergleichbaren Fachgebiet vorausgesetzt, egal ob Master oder Promotion, entscheidend sind Fachkompetenz und Potenzial. Sie bringen einschlägige Erfahrung in der Entwicklung von RF‑Leistungsverstärkern oder leistungsstarken HF‑Schaltungen mit und verfügen über fundiertes Wissen in HF‑Schaltungstechnik, elektromagnetischer Feldtheorie sowie im Design von Matching‑Netzwerken und Power‑Combining‑Strukturen. Der sichere Umgang mit Keysight ADS ist zwingend, ebenso wie Erfahrung im Umgang mit moderner RF‑Messtechnik. Programmierkenntnisse in Python und sehr gute Englischkenntnisse für die Zusammenarbeit in internationalen, interdisziplinären Teams runden Ihr Profil ab. Eine strukturierte, analytische Arbeitsweise und Freude an Teamarbeit werden erwartet. Zusätzlich sind Kenntnisse in Multi‑Kilowatt‑RF‑Systemen, thermischer Auslegung von Hochleistungsverstärkern oder Erfahrung mit Plasma‑, Halbleiter‑ und Industrial‑RF‑Anwendungen wünschenswert. Ein Verständnis von LDMOS‑ und GaN‑Leistungstransistoren wird ebenfalls geschätzt. Der Standort Hüttinger bietet ein hochmodernes Umfeld, ein wertschätzendes Familienunternehmen‑Klima, eigenverantwortliches Arbeiten, umfangreiche Weiterbildungsangebote sowie Gesundheits‑ und Mobilitäts‑Benefits wie Hansefit und Business‑Bike. Was die Stelle verlangt: - Abgeschlossenes Studium Elektrotechnik/ Nachrichtentechnik/ Physik - Erfahrung in Entwicklung von RF‑Leistungsverstärkern - Fundierte Kenntnisse HF‑Schaltungstechnik und Feldtheorie - Sicherer Umgang mit Keys